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Qu¡¯est-ce que la m¨¦moire flash avec cellules ¨¤ trois niveaux (TLC) et comment fonctionne-t-elle??

La m¨¦moire avec cellules ¨¤ trois niveaux (TLC) est une version de la m¨¦moire avec cellules multi-niveaux capable de stocker trois bits d¡¯information par cellule. La m¨¦moire?TLC permet aux organisations de r¨¦duire le co?t de leur stockage de donn¨¦es en conservant davantage de donn¨¦es dans le m¨ºme espace.

On l¡¯utilise g¨¦n¨¦ralement dans la m¨¦moire flash, un support de stockage ¨¦lectronique non volatile de la m¨¦moire d¡¯un ordinateur qui peut ¨ºtre effac¨¦ et reprogramm¨¦ ¨¦lectriquement. La m¨¦moire flash peut ¨ºtre de type NOR ou NAND, en r¨¦f¨¦rence aux portes logiques du m¨ºme nom.

? quoi sert la m¨¦moire flash TLC??

La m¨¦moire flash?TLC est principalement utilis¨¦e dans les cl¨¦s?USB, les disques de stockage flash (SSD) pour les entreprises et le grand public, et dans les cartes de stockage pour les appareils photo et les t¨¦l¨¦phones portables.?

Lorsque les fabricants de puces informatiques ont atteint les limites d¡¯¨¦volutivit¨¦ des cellules?2D, ou ¨¤ niveau unique, ils ont cr¨¦¨¦ la m¨¦moire flash NAND?3D, qui empile les cellules de m¨¦moire verticalement sur la puce pour permettre des densit¨¦s de stockage plus ¨¦lev¨¦es ¨¤ un co?t moindre par bit et am¨¦liorer ¨¦galement l¡¯endurance de la m¨¦moire flash.

D¡¯o¨´ vient le nom TLC??

TLC est l¡¯acronyme de ??triple-level cell?? (cellule ¨¤ trois niveaux). Les cellules de m¨¦moire sont les composants fondamentaux de la m¨¦moire des ordinateurs. Toshiba a introduit des cellules ¨¤ trois niveaux en 2009. Peu de temps apr¨¨s, Samsung a annonc¨¦ un type de m¨¦moire flash NAND capable de stocker trois bits d¡¯information par cellule et a invent¨¦ le terme de "cellule ¨¤ trois niveaux" ("TLC"). Samsung Electronics a commenc¨¦ ¨¤ produire des cellules?TLC en masse en 2010 et les a utilis¨¦es pour la premi¨¨re fois dans les SSD de la s¨¦rie?840.

Comment fonctionne une cellule TLC??

Toutes les puces de m¨¦moire flash comportent des centaines de millions de cellules, chacune d¡¯entre elles pr¨¦sentant g¨¦n¨¦ralement deux ¨¦tats possibles en fonction de la pr¨¦sence ou non d¡¯¨¦lectrons sur le pi¨¨ge ¨¤ charge de la puce. Cet ¨¦tat (1 ou 0) correspond ¨¤ l¡¯unique bit de donn¨¦es stock¨¦ dans la cellule sur un seul niveau, dans ce que l¡¯on appelle la m¨¦moire?SLC (cellule ¨¤ niveau unique).

Chaque cellule?TLC peut stocker trois bits d¡¯information. Cela est possible gr?ce ¨¤ des pi¨¨ges ¨¤ charge avec huit niveaux d¡¯¨¦lectron potentiels diff¨¦rents, soit huit tensions de seuil possibles qui peuvent affecter la valeur binaire stock¨¦e (1 ou 0) sur chaque cellule, ce qui permet finalement de stocker trois ¨¦l¨¦ments de donn¨¦es dans chaque cellule au lieu d¡¯un seul.

Une m¨¦moire avec cellules multi-niveaux (MLC) utilise des cellules qui stockent deux bits chacune via quatre valeurs ou niveaux de charge. Dans une cellule?MLC de deux bits, un seul niveau de charge est attribu¨¦ ¨¤ chaque combinaison possible de 1 et 0.

Quels sont les avantages de la m¨¦moire TLC, par comparaison aux m¨¦moires?SLC et MLC??

Le principal avantage de la m¨¦moire?TLC par rapport aux m¨¦moires flash?SLC et MLC est son co?t inf¨¦rieur par unit¨¦ de stockage, en raison de la densit¨¦ de donn¨¦es plus ¨¦lev¨¦e. Puisque la m¨¦moire?TLC stocke davantage de bits par cellule, elle peut fournir trois fois plus de capacit¨¦ qu¡¯une m¨¦moire?SLC et 1,5?fois plus de stockage qu¡¯une m¨¦moire?MLC ¨¤ deux bits.

La m¨¦moire?SLC offre une vitesse d¡¯¨¦criture plus ¨¦lev¨¦e, consomme moins d¡¯¨¦nergie et ses cellules ont une meilleure endurance. Cependant, son co?t de fabrication par m¨¦gaoctet de stockage est plus ¨¦lev¨¦, car elle stocke moins de donn¨¦es par cellule que les m¨¦moires?MLC et TLC.

Quels sont les inconv¨¦nients de la m¨¦moire TLC, par comparaison aux m¨¦moires?SLC et MLC??

La m¨¦moire?TLC pr¨¦sente les inconv¨¦nients suivants?:

Performance?: les huit niveaux de tension de la m¨¦moire?TLC, contre deux et quatre niveaux pour les m¨¦moires SLC et MLC ¨¤ deux bits, la rendent plus lente, car chaque niveau de tension doit ¨ºtre v¨¦rifi¨¦ et traduit en bits lors de la lecture des donn¨¦es.

¹ó¾±²¹²ú¾±±ô¾±³Ù¨¦?: les huit niveaux de tension de la m¨¦moire?TLC et la tr¨¨s faible diff¨¦rence entre eux rendent le processus de lecture plus sensible au bruit, ce qui entra?ne un taux d¡¯erreur binaire plus ¨¦lev¨¦ que le pour les m¨¦moires?SLC et MLC.

Endurance?: en g¨¦n¨¦ral, plus une cellule flash poss¨¨de de bits de donn¨¦es et de niveaux de charge, moins elle peut supporter de cycles P/E ou d¡¯¨¦criture. De ce fait, la m¨¦moire flash?TLC poss¨¨de une endurance en ¨¦criture plus faible que les m¨¦moires flash?SLC et MLC. Une cellule de m¨¦moire?TLC planaire ne peut habituellement pas effectuer plus de 500?ou 100?cycles d¡¯¨¦criture.

SSD?TLC?: l¡¯¨¦quilibre entre performance et capacit¨¦

Dans une m¨¦moire flash?TLC, les cellules de m¨¦moire sont empil¨¦es verticalement pour permettre des densit¨¦s de stockage plus ¨¦lev¨¦es ¨¤ un co?t moindre par bit. Les SSD?TLC peuvent stocker trois bits d¡¯information par cellule. Si l¡¯utilisation de SSD?TLC pour le stockage de donn¨¦es pr¨¦sente des avantages ¨¦vidents, notamment un co?t inf¨¦rieur et une densit¨¦ de donn¨¦es plus ¨¦lev¨¦e, elle pr¨¦sente ¨¦galement certains inconv¨¦nients en mati¨¨re de performances, de fiabilit¨¦ et d¡¯endurance. Le choix du SSD le mieux adapt¨¦ ¨¤ vos besoins d¨¦pend de votre budget et de vos exigences en mati¨¨re de stockage de donn¨¦es. Il n¡¯existe pas de solution unique et, compte tenu des nombreuses possibilit¨¦s qui s¡¯offrent ¨¤ vous, vous devrez effectuer vos propres recherches et ¨¦ventuellement essayer diff¨¦rentes solutions avant de vous d¨¦cider.

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