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?Qu¨¦ es la memoria flash de celda de tres niveles (TLC) y c¨®mo funciona?

La memoria de celda de tres niveles (TLC) es una versi¨®n de la memoria de celda de varios niveles capaz de almacenar tres bits de informaci¨®n por celda de memoria. TLC permite a las organizaciones reducir sus costos de almacenamiento de datos al empacar m¨¢s datos en la misma huella.

TLC se usa com¨²nmente en la memoria flash, un medio electr¨®nico de almacenamiento de memoria de computadora no vol¨¢til que se puede borrar y reprogramar el¨¦ctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash son NOR y NAND , que llevan el nombre de las puertas l¨®gicas NOR y NAND.

?Para qu¨¦ se usa flash TLC?

Los casos de uso comunes para flash TLC incluyen unidades USB, unidades de estado s¨®lido (SSD) de nivel empresarial y de consumo, y tarjetas de almacenamiento para c¨¢maras digitales y tel¨¦fonos m¨®viles.?

A medida que los fabricantes de chips de computadora alcanzaban los l¨ªmites de escalabilidad de las celdas de memoria 2D o de una sola capa, crearon flash 3D NAND, que apila las celdas de memoria verticalmente en el chip para permitir mayores densidades de almacenamiento a un costo m¨¢s bajo por bit y tambi¨¦n mejora la resistencia a flash.

?Por qu¨¦ se llama TLC?

TLC es un acr¨®nimo de celda de tres niveles. Las celdas de memoria son los componentes fundamentales de la memoria inform¨¢tica. Toshiba introdujo celdas de memoria con tres niveles en 2009. Poco despu¨¦s, Samsung anunci¨® un tipo de flash NAND que puede almacenar tres bits de informaci¨®n por celda y acu?¨® el t¨¦rmino ¡°celda de nivel triple¡± (¡°TLC¡±). Samsung Electronics comenz¨® a producir en masa TLC en 2010 y las us¨® por primera vez en sus SSD de la serie 840.

?C¨®mo funciona TLC?

Cada microchip de memoria flash tiene cientos de millones de c¨¦lulas, cada una de las cuales, tradicionalmente, tiene dos estados posibles de acuerdo con la presencia, o no, de electrones en la trampa de carga del microchip, siendo ese estado (uno o cero) el ¨²nico bit de datos almacenado en la celda en un solo nivel en lo que se conoce como memoria de celda de un solo nivel (SLC).

TLC significa que se pueden almacenar tres bits de informaci¨®n en cada celda. Esto es posible gracias a las trampas de carga con ocho niveles de electrones potenciales diferentes, lo que da como resultado ocho posibles voltajes de umbral diferentes que pueden afectar el valor binario almacenado (uno o cero) de cada celda, lo que finalmente permite que se almacenen tres datos en cada celda en lugar de uno.

La memoria de celda multinivel (MLC) se refiere al uso de celdas que almacenan dos bits por celda a trav¨¦s de cuatro valores o niveles de carga. Una MLC de dos bits tiene un nivel de carga ¨²nico asignado a cada combinaci¨®n posible de uno y cero.

?Cu¨¢les son los beneficios de TLC sobre SLC y MLC?

El principal beneficio de TLC sobre la memoria Flash con celda multinivel es un costo m¨¢s bajo por unidad de almacenamiento debido a la mayor densidad de datos. Debido a que TLC almacena m¨¢s bits por celda, puede triplicar la capacidad de SLC y proporcionar 1,5 veces m¨¢s almacenamiento que MLC de dos bits.

La memoria SLC ofrece los beneficios de mayores velocidades de escritura, menor consumo de energ¨ªa y mayor resistencia celular. Sin embargo, la fabricaci¨®n cuesta m¨¢s por megabyte de almacenamiento porque almacena menos datos por celda que MLC y TLC.

?Cu¨¢les son las desventajas del TLC en comparaci¨®n con SLC y MLC?

Las desventajas de TLC, en comparaci¨®n con SLC y MLC, incluyen:

Rendimiento: Los ocho niveles de voltaje de TLC, a diferencia de los dos niveles de SLC y los cuatro niveles de MLC de dos bits, lo hacen m¨¢s lento porque cada nivel de voltaje debe verificarse y traducirse nuevamente a bits al leer datos.

Confiabilidad: Los ocho niveles de voltaje de TLC y la peque?a diferencia entre ellos hacen que el proceso de lectura sea m¨¢s sensible al ruido que SLC y MLC, lo que lleva a una tasa de error de bits m¨¢s alta que SLC y MLC.

Resistencia: Por lo general, cuantos m¨¢s bits de datos y niveles de carga tenga una celda flash, menos ciclos de escritura o P/E puede admitir. Por lo tanto, el flash TLC tiene menor resistencia a la escritura que el flash SLC y Flash con celda multinivel. Por lo general, una celda de memoria TLC plana no puede soportar m¨¢s de 500 o 1000 ciclos de escritura.

Equilibre el rendimiento y la capacidad con SSD TLC

La memoria flash TLC apila las celdas de memoria verticalmente para permitir mayores densidades de almacenamiento a costos m¨¢s bajos por bit. Los SSD de TLC pueden almacenar tres bits de informaci¨®n por celda. Si bien existen beneficios claros de usar SSD TLC para el almacenamiento de datos, incluido el costo m¨¢s bajo y la densidad de datos m¨¢s alta, tambi¨¦n existen ciertas desventajas, como el rendimiento, la confiabilidad y la resistencia. Elegir el SSD adecuado para sus necesidades depender¨¢ de sus requisitos de presupuesto y almacenamiento de datos. No hay un tama?o ¨²nico para el almacenamiento de datos, y con la abundancia de opciones, deber¨¢ realizar su propia investigaci¨®n y potencialmente probar diferentes soluciones antes de llegar a la mejor opci¨®n posible.

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