?Qu¨¦ es flash con QLC?
Flash con celda de cuatro niveles (QLC, quad-level cell) es la tecnolog¨ªa de memoria NAND con capacidad optimizada que ofrece un costo por terabyte que iguala o supera a los discos duros (HDD, hard-disk drives). Como su nombre lo indica, QLC almacena cuatro bits por celda, lo que ofrece un rendimiento de NVMe con mejores capacidades.
QLC vs. SLC vs. MLC vs. TLC
Flash con QLC es lo ¨²ltimo en la larga tendencia de incorporar m¨¢s bits por celda en un dispositivo flash NAND. La siguiente es una breve descripci¨®n sobre la evoluci¨®n de la tecnolog¨ªa a lo largo del tiempo:
- Flash con celda de un solo nivel (SLC, Single-level cell): un bit por celda, dos posibles estados de voltaje.
- Flash con celda multinivel (MLC, Multi-level cell): dos bits por celda, cuatro posibles estados de voltaje.
- Flash con celda de tres niveles (TLC, Triple-level cell): tres bits por celda, ocho posibles estados de voltaje.
- Flash con celda de cuatro niveles (QLC): cuatro bits por celda, 16 posibles estados de voltaje.
Como se puede observar, la cantidad de posibles estados de voltaje se duplica con cada bit adicional almacenado en una celda NAND. Existe una compensaci¨®n inherente entre la capacidad y complejidad a medida que se incremente la cantidad de bits que puede colocar en una sola celda.?
Se necesita mayor precisi¨®n el¨¦ctrica para corresponder la mayor complejidad inherente a la administraci¨®n de varios estados de voltaje durante la lectura/escritura. En la pr¨¢ctica, esto se puede traducir a una reducci¨®n en el rendimiento y la durabilidad del dispositivo NAND.?
La resistencia de NAND se mide en ciclos de programaci¨®n/borrado (P/E, program/erase). Hasta el momento, los fabricantes han podido producir flash con QLC con 1000?ciclos de P/E, lo cual representa ¨®rdenes de aumentos inferiores a las que son posibles con flash SLC (100?000 ciclos de P/E).?
Sin embargo, el rendimiento y la resistencia son relativos. Flash a¨²n posee ¨®rdenes de aumentos con m¨¢s rendimiento que los HDD y existen soluciones alternativas para abordar las limitaciones de resistencia de QLC (p.?ej., utilizar flash con SLC como cach¨¦). La misma compensaci¨®n retras¨® la adopci¨®n de las TLC luego de su primera aparici¨®n, pero la tecnolog¨ªa mejor¨® con el tiempo y, en la actualidad, la mayor¨ªa de las matrices de almacenamiento en flash empresariales ofrecen alto rendimiento, confiabilidad y velocidad con NAND para TLC. Con la llegada de flash con QLC, ahora puede disfrutar la velocidad del almacenamiento basado ¨ªntegramente en tecnolog¨ªa flash a un costo por capacidad que puede igualar o superar las matrices de almacenamiento en HDD.