? es la innovadora soluci¨®n de administraci¨®n del flash de Pure, que incluye nuestro software Purity y los M¨®dulos DirectFlash ¡ªdos componentes que pueden actualizarse de manera independiente y no disruptiva¡ª.
A continuaci¨®n le explicamos c¨®mo funciona, por qu¨¦ es diferente y por qu¨¦ la necesita.
Descripci¨®n general del almacenamiento flash
Inventada por Toshiba en 1980, la memoria flash, tambi¨¦n conocida como almacenamiento flash, es un tipo de memoria no vol¨¢til (lo que significa que no necesita un suministro de energ¨ªa continuado) que puede borrarse y reprogramarse electr¨®nicamente.
Hay dos tipos principales de memoria flash ¡ªNOR y NAND¡ª, que se diferencian a nivel de circuito por el tipo de puerta l¨®gica que utilizan. Actualmente, el flash NAND supone m¨¢s del 95% del mercado de memoria flash y se utiliza en casi todos los dispositivos flash no integrados.
Dentro de la categor¨ªa NAND, existen varios tipos de memoria, que se clasifican por el n¨²mero de bits almacenados por celda de memoria:
- SLC: un (¨²nico) bit por celda
- MLC: dos (o m¨²ltiples) bits por celda
- TLC: tres bits por celda
- QLC: cuatro bits por celda
DirectFlash es el enfoque integral de É«¿Ø´«Ã½ para el desarrollo de sistemas totalmente flash. Utilizamos el flash ¡°bruto¡± para construir nuestros M¨®dulos DirectFlash, en lugar de basarnos en las unidades de estado s¨®lido (SSD) que podemos comprar en el mercado. Con ello, obtenemos nuestra memoria flash en un punto distinto de la cadena de suministro del de los otros proveedores de cabinas de estado s¨®lido. Sin embargo, las ventajas de DirectFlash son mucho mayores que las que se derivan de los aspectos econ¨®micos de la cadena de suministro.
?Por qu¨¦ DirectFlash es diferente?
Otras cabinas totalmente flash o h¨ªbridas que utilizan unidades de estado s¨®lido que se venden comercialmente hablan a sus unidades flash b¨¢sicamente de la misma manera en que lo har¨ªan a una unidad de disco duro tradicional: como si se tratara de un conjunto contiguo de bloques id¨¦nticos.
Los discos duros ten¨ªan pistas y sectores y al colocar todos esos sectores unidos por sus extremos se obten¨ªa una larga lista de bloques. Las unidades de estado s¨®lido reproducen esa misma geometr¨ªa al integrar unos sistemas complejos entre el sistema y el flash, denominados capa de traducci¨®n flash (FTL por sus siglas en ingl¨¦s).
DirectFlash utiliza un enfoque distinto que habla directamente a la memoria flash, lo que permite maximizar las capacidades del flash y proporcionar m¨¢s rendimiento, uso de la potencia y eficiencia.
En concreto, DirectFlash ofrece:
- Gesti¨®n de los medios a nivel del sistema, en lugar de a nivel de la unidad, lo que significa que las unidades trabajan de forma concertada con el propio sistema, lo que permite:
- Tomar decisiones m¨¢s inteligentes sobre la colocaci¨®n de los datos partiendo de un contexto m¨¢s amplio.
- Entender la actividad del sistema desde el nivel de bloque, archivo u objeto hasta llegar a una celda flash individual.? ??
- Maximizar la eficiencia, al disponer los datos de una forma optimizada para los medios, lo que evita la amplificaci¨®n de escritura y aumenta la resistencia.
- Evitar el trabajo duplicado, al centralizar funciones como la recolecci¨®n de la basura, la reserva y la nivelaci¨®n de desgaste.
- Reducci¨®n de los costes totales de los medios, al eliminar los esfuerzos y procesos duplicados que se producen en todas las unidades de un sistema tradicional. Los sistemas con una escala de petabytes que utilizan unidades de estado s¨®lido pueden tener terabytes de DRAM en las propias unidades ¡ªsin tan siquiera incluir la memoria del sistema¡ª para mantener sus asignaciones de FTL y metadatos. Cada unidad contiene tambi¨¦n su propio espacio de reserva sobreaprovisionado, que es necesario para que la FTL gestione los medios. Cada uno de estos componentes tiene un coste a?adido, que a medida que aumenta el tama?o de las unidades representa una porci¨®n cada vez mayor del coste total de los medios. El coste por bit de DRAM no ha mejorado en los ¨²ltimos a?os, por lo que el uso eficiente de la DRAM ser¨¢ un factor cada vez m¨¢s crucial.
- Aumento de la fiabilidad de los m¨®dulos, ya que el ¨ªndice de fallos es mucho menor (3-4 veces) en comparaci¨®n con las unidades de estado s¨®lido, debido principalmente al uso de un firmware m¨¢s sencillo.
?C¨®mo funcionan las unidades de estado s¨®lido?
Una unidad de estado s¨®lido se compone de chips flash NAND, tambi¨¦n conocidos como dados flash NAND, cada uno de los cuales est¨¢ formado a su vez por unos elementos m¨¢s peque?os llamados bloques, que est¨¢n constituidos por p¨¢ginas.
Sin embargo, los bloques flash no admiten las sobreescrituras aleatorias. Una vez que se han escrito datos en una p¨¢gina, es necesario borrar el bloque entero para poder escribir datos nuevos en ¨¦l. Al mismo tiempo, cada unidad de estado s¨®lido se ha creado para admitir una interfaz de sector de disco retrocompatible.
Esta contradicci¨®n se resuelve incluyendo algo en el firmware que se conoce como ¡°capa de traducci¨®n flash¡± (o FTL por sus siglas en ingl¨¦s), que implementa una interfaz de sector de disco virtual que le permite escribir datos en diferentes p¨¢ginas flash sin importar el bloque l¨®gico al que iban dirigidos los datos. La FTL realiza un seguimiento de todos estos metadatos de asignaci¨®n en su propia memoria y su propio almacenamiento de metadatos.